基本情報 平成23年度 春期 問25：テクノロジ系に関する問題

答えは c です。

フラッシュメモリ＝SDカードやUSBメモリの中身。電気だけで消したり書いたりできて、消すときは「ブロック単位」で一気に消します（カメラのフラッシュみたいにバッ！と）。

👉 覚え方：フラッシュ＝ブロック単位で電気的に消去。

ほかの選択肢：a キャッシュメモリに使うのはSRAM（高速・小容量）／b 定期的な書き直しはDRAM／d 判読不能。

なぜこれが正解か

正解は c。フラッシュメモリは電気的に書込み・消去ができる不揮発性メモリで、消去はブロック単位（数KB〜数MB）で一括実行される。USBメモリ・SDカード・SSD・スマホの内蔵ストレージ等に広く使われる。

各選択肢の解説

• a：CPUキャッシュメモリに使われるのはSRAM。フラッシュは速度が遅すぎてキャッシュには不向き。紫外線消去はUV-EPROM。
• b：周期的なリフレッシュが必要なのはDRAM。
• d：判読不能な選択肢。

覚え方・ひっかけ注意

メモリ種別の整理：SRAM＝高速キャッシュ／DRAM＝主記憶（リフレッシュ要）／フラッシュ＝補助記憶（ブロック消去）／UV-EPROM＝紫外線消去（旧式）。書込みはバイト単位／消去はブロック単位の非対称性がフラッシュの特徴。

理論的背景

フラッシュメモリはフローティングゲートMOSFETを記憶素子とし、絶縁層に電子を蓄えてしきい値電圧を変化させることで0/1を保持する。書込みはホットエレクトロン注入またはFNトンネリング、消去はFNトンネリングで電子を引き抜く。アーキテクチャ別にNAND型（高密度・順次アクセス・SSDやUSBメモリ・スマホストレージ）とNOR型（ランダムアクセス可・XIP対応・組込みのコード格納）に分類される。

実務での使われ方

SSDではコントローラがFTL（Flash Translation Layer）で論理アドレスを物理アドレスに動的マッピングし、ウェアレベリング（書込み均等化）、ガベージコレクション（無効ページの整理）、TRIMコマンド（OSからSSDへ不要ページ通知）で書換え寿命を延ばす。SLC（1bit/cell）→MLC（2bit）→TLC（3bit）→QLC（4bit）と密度を上げるほど寿命と速度は低下するが、3D NAND（垂直積層）で物理的に層数を増やす方向に進化中。

試験での位置づけ

基本情報のハードウェア分野で必出。半導体メモリの分類（揮発性/不揮発性、ROM/RAM、SRAM/DRAM、フラッシュの位置づけ）の体系的理解が問われる。応用情報・エンベデッドシステムスペシャリストではFTL設計、ストレージ階層、SCM（Storage Class Memory、Intel Optaneなど）が深掘りされる。

選択肢の発展補足

SRAM（キャッシュ用、フリップフロップ構造、高速・低密度）、DRAM（主記憶用、キャパシタ構造、要リフレッシュ）、フラッシュ（補助記憶用、フローティングゲート構造、不揮発）の3層がメモリ階層の基本。次世代不揮発性メモリ（MRAM、PRAM/PCM、ReRAM、3D XPoint）はDRAM並みの速度＋不揮発性で、ストレージとメモリの境界を変える可能性がある。クラウドの永続メモリ（Persistent Memory）対応データベースも研究が進む。