ITパスポート 令和8年度 問61：computer_systemに関する問題

答えは b です。

画面に映す絵や文字は、いったんどこかに「いま映すべき映像のデータ」をためておく必要があります。その画面専用のメモ置き場がVRAMです。Vは映像（Video）の頭文字。

テレビに映す映像を一時的に置いておく専用の棚、とイメージするとOKです。

👉 覚え方：VRAM＝Video（映像）のRAM＝画面用メモリ。

ほかの選択肢：a EEPROM＝電気で書き換えられる記憶／c キャッシュメモリ＝よく使うデータを置く高速なメモ／d フラッシュメモリ＝USBメモリやSDカードに使う記憶。どれも“画面専用”ではありません。

なぜこれが正解か

正解は b。VRAM（Video RAM）は画面表示専用のメモリで、ディスプレイに表示する画像データ（フレームバッファ）を保持する。GPU（グラフィックス処理装置）が描いた結果を一時的に蓄え、画面へ出力する役割を持つ。

各選択肢の解説

• a EEPROM：電気的に消去・再書き込みできる不揮発性メモリ。設定値の保存などに使う。
• c キャッシュメモリ：CPUと主記憶の間で頻繁に使うデータを高速に渡す緩衝メモリ。
• d フラッシュメモリ：USBメモリ・SSD・SDカードに使う不揮発性メモリ。
• b VRAM：画面表示専用メモリ（正解）。

覚え方・ひっかけ注意

「V＝Video（映像）」と頭文字で結びつけるのが最速。a/c/dはいずれも“メモリの種類”だが用途が違う引っかけ。VRAM容量が大きいほど高解像度・多色表示が可能、という点も合わせて覚えると応用に効く。

理論的背景

VRAM（Video RAM：ビデオランダムアクセスメモリ）はGPU（Graphics Processing Unit）に内蔵または専用に接続されるグラフィックス処理専用のメモリ装置である。フレームバッファ（スクリーンに表示される全ピクセルの色情報を格納するメモリ領域）として機能し、GPU→ディスプレイコントローラ→モニタへの高速データ転送を可能にする。

VRAMの技術的変遷：初期のVRAM（デュアルポートRAM）→SGRAM（Synchronous Graphics RAM）→GDDR（Graphics Double Data Rate）SDRAM（現在の主流）→HBM（High Bandwidth Memory：GPU基板内スタック型高速メモリ）という進化を経てきた。現代のGPU（NVIDIA RTX 4090等）はGDDR6X搭載で384bit メモリバス・1008GB/s の帯域幅を実現しており、AI学習・4K/8Kゲーミング・3Dレンダリングを高速処理している。

VRAMの容量と性能は3D画像品質・テクスチャ解像度・レンダリング解像度を決定する重要パラメータ。機械学習の文脈では、大規模言語モデル（LLM）の推論・ファインチューニングに必要なVRAM容量が性能ボトルネックとなり、VRAM不足はOOM（Out of Memory）エラーの原因となる。

実務での使われ方

AI・機械学習エンジニアにとってVRAMは最重要リソースの一つ。GPT-4クラスのモデルをローカルで動かすには数十GB〜数百GBのVRAMが必要で、NVIDIA H100（80GB VRAM）のような高性能GPU複数台でのモデル並列処理が標準的な推論インフラとなっている。クラウドAI（AWS SageMaker・Google Vertex AI・Azure ML）ではGPUインスタンスの選択基準として必要VRAMが設計パラメータの筆頭に来る。

誤り選択肢aのEEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）はBIOSファームウェア・組み込みシステムの設定保存に使われる不揮発性メモリ。cのキャッシュメモリはCPUとメインメモリ間の速度ギャップを埋めるCPU内蔵の高速メモリ（L1/L2/L3キャッシュ）。dのフラッシュメモリはSSD・USBメモリ・スマートフォンのストレージとして使われる不揮発性メモリ。

試験での位置づけ

VRAM・キャッシュメモリ・フラッシュメモリ・EEPROMの機能識別はITパスポートのテクノロジー系「コンピュータシステム」分野の頻出テーマ。メモリの種類（揮発性/不揮発性・用途・特性）を整理した表形式の理解が有効。VRAMの識別キーワードは「画面表示専用」「GPU用」「グラフィック処理」。近年のITパスポート試験ではAI・機械学習の普及を反映し、GPUとVRAMの関係・AI処理に必要なメモリ要件についての問題が出始めている。基本情報技術者試験ではメモリの階層構造（レジスタ→L1キャッシュ→L2キャッシュ→主記憶→補助記憶）とそれぞれのアクセス時間・容量のトレードオフ関係まで問われる。

選択肢の発展補足

EEPROMとフラッシュメモリの関係を補足する。フラッシュメモリはEEPROMの一種であり、NAND型（ストレージ向け・大容量・低コスト）とNOR型（プログラム実行向け・高速ランダムアクセス）に分類される。現代のスマートフォンのストレージはNAND型フラッシュを複数積層したUFS（Universal Flash Storage）が主流。EEPROMは通常バイト単位での書き換えが可能な点でフラッシュメモリ（ブロック単位書き換え）と区別されるが、現代ではEEPROMという用語はマイコン内蔵の小容量不揮発性メモリを指すことが多い。キャッシュメモリのSRAM（Static RAM）はDRAM（Dynamic RAM）より高速だが消費電力が高く大容量化が困難で、L1キャッシュ（32〜64KB）・L2キャッシュ（256KB〜1MB）・L3キャッシュ（数MB〜数十MB）という階層になっている理由はこのコスト構造によるものである。